(來源:國際電子商情)
今年3月,中國國務院副總理馬凱出訪德國時,專程前往慕尼黑英飛凌總部,就兩國在電動汽車、智能制造等領域進行戰略合作的議題與英飛凌方面進行了深入溝通。英飛凌科技(中國)有限公司中國區汽車電子業務負責人及高級總監徐輝說,訪問期間,馬凱副總理尤其關注英飛凌的IGBT技術,希望英飛凌能夠利用自身優勢,幫助中國企業實現跨越式發展。
作為全球功率半導體市場排名第一、全球汽車電子市場排名第二的廠商,英飛凌是目前唯一一家可提供從低壓12V、48V、弱混、中混、強混、插電式到純電動汽車所有電壓區間汽車級功率半導體及模塊的供應商。如何幫助中國新能源車企實現彎道超車?英飛凌對中國新能源汽車市場發展有何建議?借“英飛凌高校日”活動舉辦之際,徐輝接受了本刊的采訪。
IGBT那么多,如何做到脫穎而出?
眾所周知,高功率密度、高壓、大電流IGBT功率模塊是逆變器里最核心的部件,它的功率密度越高,電力驅動系統的設計則越緊湊,在相同體積下就能發揮更大功率。資料顯示,英飛凌HybridPACKTM系列功率模塊在650V高壓下可提供200A、400A、600A和800A的交流有效電流,功率密度比競爭對手高出30%到40%,而構成IGBT的溝槽和場截止(trench+field-stop)單元厚度只有40μm,從而大幅降低開關損耗,并將導通阻抗降低25%。獨有的300毫米IGBT晶圓產量則是6英寸的4倍。
另一方面,由于所有的功率轉換都由IGBT執行,所以器件本身沒有更多的空間來散熱,也不能通過增加風扇等其他方式散熱,這就要求IGBT本身有很好的散熱功能。英飛凌通過創新的冷卻技術Pinfin,在器件上面增加了獨特的針尖式設計,從而得到了更多的散熱面積。此外,隨著開關頻率的提高,高效、快速、高溫能力強、可靠性高,高壓能達2500V的SiC功率半導體器件將會是更優的選擇,可進一步提高逆變器的效率。
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